2022.01.06 【新技術】GaNとSiCを一体化したトランジスタ産総研が世界で初めて動作検証F
概 要
産業技術総合研究所(産総研)先進パワーエレクトロニクス研究センターパワーデバイスチーム中島昭主任研究員、原田信介研究チーム長は、ワイドバンドギャップ半導体である窒化ガリウム(GaN)を用いた高電子移動度トランジスタと炭化ケイ素(SiC)を用いたPNダイオードの両者をモノリシックに一体化した、ハイブリッド型トランジスタ... (つづく)
概 要
産業技術総合研究所(産総研)先進パワーエレクトロニクス研究センターパワーデバイスチーム中島昭主任研究員、原田信介研究チーム長は、ワイドバンドギャップ半導体である窒化ガリウム(GaN)を用いた高電子移動度トランジスタと炭化ケイ素(SiC)を用いたPNダイオードの両者をモノリシックに一体化した、ハイブリッド型トランジスタ... (つづく)
平素より週刊新聞をご愛読いただき、誠にありがとうございます。
このたび、配送体制の変更に伴い、2025年12月22日号より、新聞の包装方法を従来のビニール包装から帯封による包装へ変更させていただきます。
本変更は、配送の安定化および環境負荷低減を目的としたものであり、新聞の内容・品質に変更はございません。
また、本紙は日本郵便を利用して郵送しておりますため、天候や郵送事情などにより、お届けが毎週水曜日から前後する場合がございます。
発行日当日に確実に記事をご覧になりたいお客さまには、発行日当日からデジタル版で閲覧可能な「スタンダードプラン」もご用意しております。
ご検討のほどよろしくお願いします。