2019.12.13 富士通と富士通研 GaNHEMTの放熱効率高める ダイヤモンド膜形成に成功
発熱量を40％抑制 冷却装置簡素化
富士通と富士通研究所は、気象レーダーなどのパワーアンプ（増幅器）に使用される窒化ガリウム（GaN）高電子移動度トランジスタ（HEMT）の表面に、世界で初めて放熱性の高いダイヤモンド膜を形成する技術を開発した。動作時の発熱量を40％低減できるもので、冷却装置の簡素化を実現。GaN HEMTを利用したレーダーシステムの小型化につながると見込まれる。
GaN ... (つづく)
