米IBMは6日、ニューヨーク州のハドソンバレー一帯で、半導体やAIなどの研究開発や製造に、10年間で200億ドル（3兆円弱）を投資すると発表した。半導体補助金法を活用し、量子コンピューター開発の拠点とする計画だ。

　バイデン大統領はIBMのCEOと共に、ハドソンバレーにあるIBM施設を視察。「この地域がハブ（軸）になる」と、大規模投資を歓迎した。

　ハドソンバレーは元々、産業の集積地で、IBMも拠点の一つとして事業を展開。兵器製造から最新世代のメインフレームまで長年、技術変革を支えてきた。

　同州では先日も、マイクロン・テクノロジーが20年間で最大1000億ドル（14兆円強）を投じ、工場を建設すると発表している。

（10日付電波新聞／電波新聞デジタルで詳報します）