米マイクロンテクノロジーの開発した最先端DRAM「1β（1ベータ）」の出荷が始まり、開発・生産拠点のマイクロンメモリジャパン広島工場（広島県東広島市）で16日、式典や報道向け公開があった。8.5ギガbpsの最高スピードグレードなどを実現し、パフォーマンスからビット密度、電力効率など大幅な進展を訴求する。日本政府の最大約465億円の助成も決まり、同社は「広島の拠点を含め、開発の取り組みと製造能力のさらなる強化を進める」とする。

　EUVを使わないで実現したのも特徴の一つで、1βが主力の一つとして収益に本格的に寄与を始めるのは来夏ごろと明らかにした。

　また会見では、EUVを活用した次世代の1γ（ガンマ）導入について、装置をめぐる法令の兼ね合いから、当局とも協議して検討しているとした。

　量産開始を祝う式典にはラーム・エマニュエル米国大使、経済産業省の野原諭・商務情報政策局長、湯﨑英彦・同県知事、同社のサンジェイ・メロートラ社長兼CEOらが出席し、日米連携もアピールした。

（17日付電波新聞／電波新聞デジタルで詳報します）