2020.03.31 米オン・セミ、GATAと5年間契約　SiC素材で5000万ドル規模

　米半導体大手、オン・セミコンダクターはこのほど、SiC（炭化ケイ素）素材の生産と供給に関して、米GTアドバンスト・テクノロジーズ（GATA）と5年間、総額5000万ドル規模の契約を締結したと発表した。

　SiCは炭素とケイ素の1対1の化合物。高硬度で耐熱性、耐久性に優れており高性能・高効率パワー半導体を実現する素材として注目されている。

　GATAはSiCおよびサファイア材料のメーカーで、今回の提携により...　　(つづく)