2026.06.04 三菱電機、車載向け第5世代SiC-MOSFET開発　オン抵抗25％低減

xEV用 SiC-MOSFETウエハー（左）とチップ（右）のイメージ

　電機大手の三菱電機は、電動車（xEV）内部の電力変換などに用いるパワー半導体の新製品として、従来に比べオン抵抗を25%減らした新製品2種類を発表した。より電力損失が少なく発熱も抑えられる。定格電圧1200Vでオン抵抗6.8mΩの「WF0007Q-1200AA」を6月下旬に、同750Vで4.8mΩの「WF0005Q-0750AA」を7月下旬にそれぞれサンプル提供開始する。

　第5世代の炭化ケイ素金属酸化膜半導体電界効果トランジス...　　(つづく)