2020.08.14 NIMSと筑波大、 高純度シリコンの収率向上生成プロセス改善に期待

 物質・材料研究機構(NIMS)と筑波大学は、従来25%が限界といわれていた半導体用高純度シリコン(Si)を生成するシーメンス法のSi収率を向上させることに成功した。今後、コンピュータや太陽電池向けに需要が高まる高純度Si生成プロセスの改善や低コスト化が期待される。

 Siはありふれた元素だが、コンピュータや太陽電池などに利用される重要な戦略物質だ。中でも、エネルギー問題の解決に向けて40年には世界の太陽光発電累積導入量が1TW...  (つづく)