国際学術誌「Applied Physics Express」の14日付に、オンライン掲載された京都大学大学院工学研究科の木本恒暢教授らグループのSiC半導体の研究が、20年以上にわたって顕著な進展のなかったSiC（シリコンカーバイド、炭化ケイ素）半導体の難題を逆転の発想で解決した、と注目されている。

　SiCを酸化して表面にSiO2膜を形成し、これをSiCトランジスタに使う、というこれまでの常識を打破。SiCを酸化させずに表面...　　(つづく)