2020.08.28 光と電圧入力値で複数の値を記録NIMSが多値メモリー素子開発

　物質・材料研究機構（NIMS）は、光と電圧の二つの入力値で複数の値を記録できる多値メモリー素子を開発。特に２次元層状物質の積層構造の中に、蓄積する電荷量を光で調整することにより成功した。記録容量の大幅な向上に寄与するだけでなく、光と電子をつないだ様々な素子への発展が期待される。

　現代の情報化社会では、フラッシュメモリーなど情報を記録するメモリー素子が重要な役割を担っている。ここ20年で記録密度は大幅に向上したが、ますますIo...　　(つづく)