2019.10.02 三菱電機がトレンチ型SiC－MOSFET 独自の電界緩和構造で耐圧1500V超、素子抵抗率を半減
三菱電機は、独自の電界緩和構造を採用した1500V以上の耐圧性能と世界最高レベルの素子抵抗率1平方センチメートル当たり1.84mΩを両立する、トレンチ型SiC-MOSFETを開発した。同パワー半導体素子をパワー半導体モジュールに搭載することで、パワーエレクトロニクス機器のさらなる小型化、省エネ化に貢献する。21年度以降の実用化を目指す。
家電製品から産業用機器、自動車、鉄道車両など幅広い分野では、省エネ化、小型化、高効率化が... (つづく)
