2021.04.15 東大などが「ナノすりガラス」開発高温で印刷が必要な有機半導体でも良質な単結晶薄膜を大面積で製造

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［図3］（a）本研究で開発したナノすりガラスを利用して転写されたn型有機半導体膜の偏光顕微鏡写真。（b）作製した有機電界効果トランジスタ（OFET）の構造の模式図。（c）作製したOFETの飽和領域の伝達特性。ドレイン電圧V D＝30V、チャネル長L＝50μm、チャネル幅W＝100μm。特性から見積もられた電子移動度は2.2cm2 V⁻¹ s⁻¹

［図3］（a）本研究で開発したナノすりガラスを利用して転写されたn型有機半導体膜の偏光顕微鏡写真。（b）作製した有機電界効果トランジスタ（OFET）の構造の模式図。（c）作製したOFETの飽和領域の伝達特性。ドレイン電圧V D＝30V、チャネル長L＝50μm、チャネル幅W＝100μm。特性から見積もられた電子移動度は2.2cm2 V⁻¹ s⁻¹

［図1］（a）未処理のガラスと（b）ナノすりガラスの表面の原子間力顕微鏡像
［図2］ナノすりガラスの（a）製造工程と（b）高温（150℃）処理後の水の接触角の時間依存性。未処理のガラスおよびナノすりガラスともに測定前にUV照射処理を実施
［図3］（a）本研究で開発したナノすりガラスを利用して転写されたn型有機半導体膜の偏光顕微鏡写真。（b）作製した有機電界効果トランジスタ（OFET）の構造の模式図。（c）作製したOFETの飽和領域の伝達特性。ドレイン電圧V D＝30V、チャネル長L＝50μm、チャネル幅W＝100μm。特性から見積もられた電子移動度は2.2cm2 V⁻¹ s⁻¹

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