2021.04.19 パワーデバイス製作所に開発試作棟三菱電機、半導体の開発加速
開発試作棟の完成予想図
【福岡】三菱電機は、同社パワーデバイス製作所（福岡市西区）に新たな開発試作棟を建設すると発表した。低炭素社会実現へ需要が拡大しているパワー半導体の開発体制を強化し、電力損失低減のための新技術・製品の開発を加速する。
投資額は約45億円で、22年9月の稼働を目指す。
産業用途、自動車用途など省エネ性に優れたパワー半導体の開発・製造拠点である同製作所に地上6階建て、延べ床面積約1万350平方メートルの開発試... (つづく)
