2022.01.06 【新技術】GaNとSiCを一体化したトランジスタ産総研が世界で初めて動作検証F

概　要

　産業技術総合研究所（産総研）先進パワーエレクトロニクス研究センターパワーデバイスチーム中島昭主任研究員、原田信介研究チーム長は、ワイドバンドギャップ半導体である窒化ガリウム（GaN）を用いた高電子移動度トランジスタと炭化ケイ素（SiC）を用いたPNダイオードの両者をモノリシックに一体化した、ハイブリッド型トランジスタ...　　(つづく)