2022.02.01 半導体熱研究所が新接合技術パワー半導体の電極付きセラミック絶縁基板内接合など無加熱・低荷重で実現

　半導体熱研究所（京都市中京区、福井彰代表）は、Si（シリコン）やSiC（シリコンカーバイド）のパワー半導体チップを実装する電極付きセラミック絶縁基板内の接合および電極付きセラミック絶縁基板と放熱用冷却器の接合に、多層の金属箔（はく）を無加熱・低荷重で機械接合する新接合技術を開発した。今月、同技術でプロダクト特許の審査に合格（特願2021-108335）。

　今回の新接合技術は、アルミ、銀、銅、スズなど、さまざまな金属箔を使える...　　(つづく)