2019.12.17 キオクシアが3次元フラッシュメモリー大容量化へ半円型のセル構造（Twin BiCS FLASH）開発

＜出所：キオクシア＞

　キオクシアは、3次元フラッシュメモリーにおける円型メモリーセルのゲート電極を分断して半円型にすることでセルサイズを縮小し、高集積化を実現するセル構造「Twin BiCS FLASH」を開発した。

　セルの設計でチャージトラップ型の電荷蓄積層ではなく、導電体の電荷蓄積層（フローティングゲート）を用いることで、従来の円型セルよりも小さいセルサイズで、高い書き込みスロープと広い書き込み・消去ウインドウを取得することに世界で初めて成功...　　(つづく)