キオクシアホールディングスは6日、岩手県北上市の半導体メモリー工場で第2製造棟（K2）の建設に着手した。2023年竣工予定。主力の3次元NAND型フラッシュメモリー「BiCS FLASH」の生産能力を倍増し、需要の伸びに備える。

　北上工場での生産拡大に応じた人員増に対応するため、管理・技術部門が入居する管理棟も建設する。総投資額は約1兆円となる見通しだ。

　新棟は北上工場第1製造棟（K1）の東側約15ヘクタールの土地に建設する。建屋面積は3.1万平方メートルで、地震の揺れを吸収する免震構造を採用。生産性向上に向けAIを活用した生産システムの導入も進める。

（7日付電波新聞／電波新聞デジタルで詳報します）