2022.08.04 次世代パワー半導体 酸化ガリウム利用の開発競争耐圧性や低損失性 SiCやGaN超える
NCTのクリーンルーム。複数枚の4インチエピウエハーを製造する装置を来年度に導入する予定だ
酸化ガリウムを使った次世代パワー半導体の開発競争が活発化している。酸化ガリウムの材料物性は高耐圧性や低損失性の点でSiC（炭化ケイ素）やGaN（窒化ガリウム）を超えるとされ、2030年までにGaNの市場規模を上回るとの予想もある。
物性値の優位性で注目される酸化ガリウム。普及に向けて各社が力を入れるのは、既存のパワー半導体に対するコスト競争力だ。
タムラ製作所の研究開発部門を母体とするノベルクリスタルテ... (つづく)
