2022.09.07 東芝D＆S　スイッチング損失大幅低減　第3世代SiC MOSFET10品種の出荷開始

第3世代SiC MOSFET

　東芝デバイス＆ストレージ（東芝D＆S）は、パワー半導体の新製品として、低オン抵抗でスイッチング損失を大幅に低減した第3世代SiC MOSFETを製品化、「TWxxxMxxxCシリーズ」10品種（1200／650V耐圧）の出荷を開始した。

　新製品は単位面積当たりのオン抵抗RDS（ON）Aを約43％削減した。これにより、導通損失とスイッチング損失の関係を表す重要指標「ドレイン・ソース間オン抵抗×ゲート・ドレイン間電荷量RDS（O...　　(つづく)