2022.10.25 米GFに政府から40億円超支援 半導体の次世代GaN開発で
米半導体製造大手、グローバルファウンドリーズ（GF）はこのほど、半導体開発に向け、連邦政府の資金3000万ドル（40億円超）が交付されると発表した。バーモント州のGF拠点での次世代窒化ガリウム（GaN）開発に充てられる。
200ミリメートルのGaNウエハーの開発・実装を進める。「電気自動車や産業用モーター、エネルギー関連などの半導体製造でリーダーシップを発揮できる」としている。
交付は国防総省傘下の「ト... (つづく)
