2022.12.21 東芝D＆S 低オン抵抗と高信頼性両立 新構造SiC MOSFET開発
今回開発した市松模様SBD配置型SBD内蔵MOSFETの模式図
東芝デバイス＆ストレージ（東芝D＆S）と東芝は、低オン抵抗と高信頼性を両立したSiC（炭化ケイ素）MOSFETを開発した。
内蔵されているショットキーバリアダイオード（SBD）を市松模様の配置に変更した新たなデバイス構造とすることで、高い信頼性を維持しながら同社従来製品と比較してオン抵抗（RonA）を約20％低減できることを確認した。
パワー半導体は、あらゆる電気機器の省エネルギー化やカーボンニュートラ... (つづく)
