OKIと信越化学工業は5日、縦型GaN（窒化ガリウム）パワーデバイスの進展に貢献する新技術を発表した。信越化学が独自改良したQST基板（GaN成長専用の複合材料基板）から、OKIのCFB技術（基板から剥離する技術）を使い、GaN機能層だけを剥離し、異種材料基板へ接合する技術。縦型導電が可能となり、大電流を制御する縦型パワーデバイスの実現と普及につながる。

　GaNパワーデバイスは従来、横型デバイスが主流だが、横型の需要拡大が見込まれている。今回の技術では、信越化学がQST基板またはエピタキシャル基板を提供。OKIがパートナーリングやライセンスでCFB技術を提供することを想定する。

　GaNデバイスは、電圧1800V以上の高耐圧が求められるパワーデバイスや、Beyond 5G向けの高周波デバイス、高輝度なマイクロLEDディスプレーなど、高デバイス特性と低消費電力を両立する次世代デバイスとして注目されている。

　特に縦型は、EVの走行距離の延長や給電時間の短縮など基本性能を向上するデバイスとして、今後需要が大きく拡大することが期待されている。

　開発については、台湾で6～8日に開かれるセミコン台湾で発表される予定だ。

（6、7日付電波新聞／電波新聞デジタルで詳報予定です）