メモリーの断面構造
東京工業大学は、面内分極（物質の内部で、正と負の電荷が面に沿い分布すること）を使った新記録方式による不揮発性メモリーを開発した。2次元強誘電半導体材料のα相セレン化インジウム（α-In₂Se₃）をギャップ長100ナノメートルのナノギャップ電極上に転写したボトムコンタクト構造を採用したもの。実用化を目指して企業との連携などを進める。
東工大科学技術創成研究院フロンティア材料研究所の真島豊教授らの研究グループが取り組んでいる。<... (つづく)
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【2024年に新たに休刊となる日】
▷4月29日（月）昭和の日
▷5月3日（金）憲法記念日
▷5月6日（月）振替休日
▷7月15日（月）海の日
▷8月12日（月）振替休日
▷9月16日（月）敬老の日
▷9月23日（月）振替休日
▷10月14日（月）スポーツの日
▷11月4日（月）振替休日
