2023.10.13 面内分極使用の不揮発性メモリー開発　東京工業大学、実用化を目指し企業などと連携

メモリーの断面構造

　東京工業大学は、面内分極（物質の内部で、正と負の電荷が面に沿い分布すること）を使った新記録方式による不揮発性メモリーを開発した。2次元強誘電半導体材料のα相セレン化インジウム（α-In₂Se₃）をギャップ長100ナノメートルのナノギャップ電極上に転写したボトムコンタクト構造を採用したもの。実用化を目指して企業との連携などを進める。

　東工大科学技術創成研究院フロンティア材料研究所の真島豊教授らの研究グループが取り組んでいる。<...　　(つづく)