2023.12.07 【新技術】東大の研究グループが不揮発性メモリー素子が壊れる瞬間を可視化 電子デバイスの新たな非破壊顕微解析手法を開発
絶縁破壊によって形成された伝導パスの可視化
東京大学の研究グループは、大規模集積化が可能なメモリー素子の新材料である二酸化ハフニウム（HfO₂）系強誘電体を用いたキャパシターが100万回以上のデータ書き換えによって絶縁破壊する様子を電極越しに可視化することに成功した。レーザー励起光電子顕微鏡によって、絶縁破壊後の電気伝導パスだけでなく絶縁破壊直前のリーク電流の増加領域の可視化に初めて成功。キャパシター内の広い範囲で抵抗が変化していることを解明した。3次元化が進む半導体デバイスの新たな非破壊... (つづく)
