2024.01.09 積層型GAAトランジスタ で複数入力が可能に 2~3世代先の集積効果実現へ 湘南工科大・渡辺名誉教授の研究

ゲート部分断面構造

 半導体の2ナノメートル世代の技術に各社が取り組む中、湘南工科大の渡辺重佳名誉教授・学事顧問(元学長)は、複数入力可能な積層型GAA(Gate All Around)トランジスタ構造を提案している。従来技術の2割の専有面積で済み、2~3世代分の微細化前倒しに相当する集積効果が期待できる。研究開発のさらなる展開も見込まれている。(11日付のハイテクノロジーに論文掲載予定)

 高速で低消費電力、低コストなロジックLSIについては従来...  (つづく)