2024.01.11 【2024年注目の先端技術特集】電通大の研究グループシリコン基板上に高密度・高均一のⅢ－Ⅴ族半導体量子ナノワイヤを作製　次世代の量子デバイスへの応用に期待

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【図3】直径の異なるInAsナノワイヤの発光スペクトル（左）と、InAsナノワイヤ直径と発光ピークエネルギーの関係（WZ：ウルツ鉱構造、ZB：閃亜鉛鉱構造）（右）。量子サイズ効果によってバルク結晶よりも発光エネルギーは高エネルギー化し、量子ナノワイヤの直径を変化させることにより発光エネルギーを制御できる

【図3】直径の異なるInAsナノワイヤの発光スペクトル（左）と、InAsナノワイヤ直径と発光ピークエネルギーの関係（WZ：ウルツ鉱構造、ZB：閃亜鉛鉱構造）（右）。量子サイズ効果によってバルク結晶よりも発光エネルギーは高エネルギー化し、量子ナノワイヤの直径を変化させることにより発光エネルギーを制御できる

【図1】Si基板表面のSi酸化膜に形成したピンホール（断面で観察した透過型電子顕微鏡像）
【図2】高密度・高均一のInAs量子ナノワイヤ（走査型電子顕微鏡像、上）とInAs量子ナノワイヤ直径のヒストグラム（下）平均直径20nm、標準偏差1.8nm（8.8％）
【図3】直径の異なるInAsナノワイヤの発光スペクトル（左）と、InAsナノワイヤ直径と発光ピークエネルギーの関係（WZ：ウルツ鉱構造、ZB：閃亜鉛鉱構造）（右）。量子サイズ効果によってバルク結晶よりも発光エネルギーは高エネルギー化し、量子ナノワイヤの直径を変化させることにより発光エネルギーを制御できる

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