2024.03.06 TRC、絶縁膜中の分析技術確立 ESR法で欠陥量分布を評価
窒化シリコン膜（膜厚：18ナノメートル）中欠陥量の膜厚に対する変化の評価例。均一ではなく深さ方向に分布があることが分かる
分析・調査の受託事業を展開する東レリサーチセンター（TRC）は、先端半導体デバイスで用いられる極薄膜において絶縁膜中の欠陥を検出し定量化する分析技術を確立した。電子スピン共鳴法（ESR法）を用い、前処理技術を組み合わせて膜中の深さ方向の欠陥量分布評価を可能とした。極薄膜の分析受託サービスは昨年度から開始しており、膜厚方向の分析は今後ユーザーに訴求していく。
半導体デバイスは微細化や細線化が進み、10ナノメートル以下の極薄膜の... (つづく)
