2025.04.07 2インチ多結晶ダイヤモンド基板上にGaN HEMT作製　住友電工と大阪公大が成功

大口径2インチサイズでの多結晶ダイヤモンド基板上に高周波デバイスのGaN HEMT構造を実現

　住友電気工業と大阪公立大学は、科学技術振興機構（JST）の共同研究プロジェクトで、2インチの多結晶ダイヤモンド（PCD）基板上で窒化ガリウムトランジスタ（GaN HEMT）の作製に成功した。

　同技術は移動体通信・衛星通信分野での基幹デバイスの大容量化、および低消費電力化を実現する重要なステップとなる。

　近年、無線通信の情報量が増大する中、高周波デバイスのGaN HEMTのさらなる高周波化、高出力化が求め...　　(つづく)