2026.06.29 高性能すぎて壊れるパワー半導体GaN-HEMT　タムラがサージ電圧減らす新技術で対処

多層フレキシブルプリント基板折り畳みコイルを使ったトランス（出所＝タムラ製作所）

　電力の変換や制御を担うパワー半導体のうち先進の窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ（GaN-HEMT）は、持ち前の高性能を発揮すると接続している変圧器（トランス）から瞬時に異常な高電圧、サージ電圧が生じ、GaN-HEMT自体を破壊する危険がある。そこでトランスを得意とする電子部品大手のタムラ製作所が、基板積層技術を使いサージ電圧を減らす新たな対策を編み出した。

　GaN-HEMTは従来のシリコン製パワー半導体に比べ電流を通した...　　(つづく)