DRAM、前期比1％増の176.5億ドル10-12月世界売上げ

• 2021.03.11
• 
• 電子デバイス
• グローバルメモリ市場動向

18GBのLPDDR5 モバイルDRAM量産開始韓国SKハイニックス

• 2021.03.09
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• 電子デバイス
• 5Gスマートフォンメモリ韓国

10-12月は前期比3％減の141億ドルNANDフラッシュ世界売上げ

• 2021.03.08
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• 情報通信
• グローバルメモリ市場動向

韓国SKハイニックスが蘭ASMLと長期購入契約EUV露光装置、今後5年で4530億円

• 2021.03.01
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• 電子デバイス
• メモリ半導体製造装置韓国

キオクシア、四日市工場に第7製造棟3次元フラッシュメモリー増産

• 2021.02.26
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• 電子デバイス
• メモリ

162層3次元フラッシュ開発キオクシアと米WD、書き込み速度前世代品比2.4倍

• 2021.02.22
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• 電子デバイス
• メモリ

162層3次元フラッシュ開発キオクシアと米WD

• 2021.02.19
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• 電子デバイス
• メモリ

サムスン、AI機能統合のHBM開発従来品比性能2倍、70％以上消費電力削減

• 2021.02.19
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• 情報通信
• AIメモリ韓国

1αナノメートル世代DRAM米マイクロンが量産出荷

• 2021.02.05
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• 電子デバイス
• メモリ米州

EUV露光技術導入の半導体工場「M16」韓国・SKハイニックスが竣工

• 2021.02.01
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• 電子デバイス
• その他半導体メモリ韓国

台湾ナンヤ、売上げ13％増昨年10-12月

• 2021.01.20
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• 電子デバイス
• メモリ台湾決算

12インチ換算で月産4万枚拡大韓国サムスンDRAM生産力

• 2021.01.12
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• 電子デバイス
• メモリ韓国

米マイクロン、純益64％増9-11月

• 2021.01.08
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• 電子デバイス
• メモリ決算米州

韓国サムスン、２％増の5.8兆円10-12月売上高速報値

• 2021.01.08
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• 総合電機
• スマートフォンメモリ業績韓国

DRAM DDR5準拠品　来年出荷本格化メモリー市場のけん引役に

• 2020.12.28
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• 電子デバイス
• HPCグローバルサーバーメモリ

米インテル 世界最速のDC向けSSDを発表転送速度連続読み込み 最大7200MB／秒

• 2020.12.28
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• 電子デバイス
• SSDサーバーメモリ米州

ロームが書き込みが業界最速のEEPROMI²Cバス、125度対応、書き換え回数400万回

• 2020.12.24
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• 電子デバイス
• メモリ

加速するメモリー最先端技術開発デジタル化で需要拡大 韓国サムスンなどが取り組む

• 2020.12.23
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• 電子デバイス
• 5GHPCメモリ韓国

北上工場拡張へ隣接地取得キオクシア

• 2020.12.10
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• 電子デバイス
• 5Gメモリ

SKハイニックスが176層3D NANDデータ転送速度1.6Gbps

• 2020.12.08
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• 電子デバイス
• メモリ韓国