面内分極使用の不揮発性メモリー開発　東京工業大学、実用化を目指し企業などと連携

• 2023.10.13
• 
• 電子デバイス
• メモリ

「トポロジカル物質デバイス」で課題解決　東大研究発のスタートアップ・トポロジックが量子科学の新...

• 2023.10.12
• 
• 材料
• スタートアップセンサーその他半導体メモリ先端技術

キオクシアがDC向けのNVMeのサンプル出荷開始　SSDPCIe 5.0に対応　

• 2023.08.29
• 
• 電子デバイス
• メモリ

【海外ニュース】 米ケイデンスがラムバスのSerDes事業など買収

• 2023.08.03
• 
• ハイテクノロジー
• その他半導体ハイテク海外ニュースメモリ企業動向米州

HBM需要、24年に2.9億ギガバイト　生成AIで伸長へ　台湾調査会社まとめ

• 2023.07.04
• 
• 電子デバイス
• グローバルメモリ

インフィニオンがオートトークスと協業　V2X向けメモリー提供

• 2023.06.26
• 
• 電子デバイス
• EMEAメモリ

韓国SKハイニックスがDRAMの第5世代開発　HKMGで世界最速級　処理速度が33％向上　24...

• 2023.06.20
• 
• 電子デバイス
• メモリ韓国

韓国SKハイニックスが238層の4DNAND量産　データ転送速度50％向上

• 2023.06.14
• 
• 電子デバイス
• その他半導体メモリ韓国

【やさしい業界知識2023】半導体

• 2023.06.14
• 
• 電子デバイス
• アナログICその他半導体メモリ新入社員業界知識

238層のメモリー量産開始　韓国SK「4D NAND」技術　世界最高層

• 2023.06.13
• 電子デバイス
• その他半導体メモリ韓国

NIMSとWDが新施設を設置　共同で材料技術の開発

• 2023.06.13
• 
• 材料
• その他半導体メモリ協業

NIMSと米WDが連携　「ストレージフロンティアセンター」設置

• 2023.06.12
• 電子デバイス
• その他半導体メモリ

キオクシア、橫浜の研究開発拠点が稼働　分散していた部門を集約　効率化、人員増強へ

• 2023.06.06
• 
• 電子デバイス
• メモリ

半導体国内生産目標、15兆円へ引き上げ　経産省が戦略改定案　2ナノや光電融合視野

• 2023.06.01
• 
• 政府
• その他半導体メモリ政策

【海外ニュース】独インフィニオン、業界初のLPDDRフラッシュメモリー　次世代自動車のE／Eア...

• 2023.06.01
• 
• ハイテクノロジー
• EMEAハイテク海外ニュースメモリ

2023年のストレージ・HDD業界展望　大容量アーカイブにHDDが引き続き重要

• 2023.05.11
• 
• ハイテクノロジー
• HDDストレージハイテク特集メモリ

米ウエスタンデジタル、1～3月は減収赤字　メモリーなど市況影響

• 2023.05.09
• 電子デバイス
• メモリ決算米州

韓国SKハイニックスが12層24GBのHBM3　業界最高密度を実現　サンプル開始

• 2023.04.26
• 
• 電子デバイス
• メモリ韓国

キオクシア、名大と研究連携強化　メモリーやモビリティーで

• 2023.04.07
• 
• 電子デバイス
• スマート工場メモリ協業

米WDとキオクシアが3次元フラッシュ新製品　大容量・低コストなど実現

• 2023.04.05
• 
• 電子デバイス
• メモリ