2019.10.08 韓国サムスン DRAMを12層積層する3D-TSVパッケージング技術開発

　韓国のサムスン電子は7日、現行の8段積層DRAMと同じ厚さを維持しながら、12層のDRAMスタッキングを実現する3D-TSV（シリコン貫通電極）パッケージング技術を業界に先駆け開発したと発表した。

　新技術は、髪の毛の20分の1という微小な6万以上ものTSV穴を通じ、12個のDRAMを垂直に相互接続するもので、高性能チップの量産用では最も難しいパッケージング技術の一つとされている。

　TSVによりDRAM...　　(つづく)