2021.07.08 ターンオン損失を大幅低減ロームが650V耐圧のSiC SBD内蔵IGBT量産
SiC SBD内蔵IGBT「ハイブリッドIGBT RGWxx65Cシリーズ」
ロームは、650V耐圧のシリコンカーバイド（SiC）ショットキーバリアダイオード（SBD）内蔵IGBT「ハイブリッドIGBT」を開発し、12月から量産を開始する。IGBTの帰還部の還流ダイオードに独自開発の低損失SiC SBDを採用。これまでのIGBTと比べオン時のスイッチング損失（ターンオン損失）を大きく低減した。車載信頼性規格「AEC-Q101」に準拠。電気自動車などの電動化車両に搭載する車載充電器や車載DC／DCコンバーターや、太陽光発電用... (つづく)
