2021.08.06 九州大学など全無機型ペロブスカイト抵抗変化メモリーの開発成功
（a） CsPbBr ₃ペロブスカイト量子ドットを用いた発光メモリーデバイス （b） サイズの異なる2種類のCsPbBr ₃ペロブスカイト量子ドットLEMのELスペクトル（λ ₁＝532nmとλ ₂＝515nm）（出所：九州大学）
電気的に切り替え可能な発光メモリーデバイスへ
ペロブスカイト材料の電界誘起イオン移動現象は、光電変換素子の電気光学特性や最終性能に大きく影響することが知られている。これらは一般に劣化を招く有害なものとして扱われ、実用化のためにはイオンの動きを抑えることが必要とされてきた。
台湾師範大学電気光学工学研究所... (つづく)
