2022.07.22 次世代のパワエレ用半導体材料で新手法東大・藤岡教授ら発表 「AlGaN」利用拡大へ
試作したAlN／AlGaN HEMT素子の特性評価
メタバースなど適用できる可能性も
東京大学生産技術研究所の藤岡洋教授らは、次世代パワーエレクトロニクス用半導体材料として期待されるAlGaN（窒化アルミニウムガリウム）について、高品質な半導体結晶を安価に合成する新手法を開発したと発表した。高性能なパワーエレクトロニクス素子を安価な手法で作製でき、電力変換素子や次世代無線通信... (つづく)
