韓国の半導体メモリー大手、SKハイニックスは2日、メモリーセルを垂直方向に238層積層したNAND型フラッシュメモリーを開発したと発表した。

　積層数は業界最高。同社の前世代176層NANDに比べデータ転送速度は50%高速化。生産性や、データ読み取りの際の電力効率も向上した。

　セル当たり3ビットを記録できるTLC（トリプルレベルセル）方式を用いた容量512ギガビット製品で、現在サンプル出荷中。当初はパソコン用SSD向けに供給する。量産は2023年上半期の予定だ。

　メモリーセルを何段も積み重ね大容量化、高性能化を図ったNAND製品では米マイクロンが先月下旬、232層製品の量産開始を発表したばかり。現時点で200層を超えるNANDをリリースしたのはこの2社だけだ。

（4日付電波新聞／電波デジタルで詳報します）