2020.01.09 【2020年注目の先端技術と応用技術特集】東工大などの研究グループ　巨大な一方向性スピンホール磁気抵抗効果実証

（図1）従来の垂直型SOT-MRAMの構造（左）と本研究の面内型SOT-MRAMの構造

　東京工業大学工学院電気電子系のファム・ナム・ハイ准教授とグエン・フン・ユイ・カン博士研究員の研究チームは、トポロジカル絶縁体・強磁性半導体接合を用いて、巨大な一方向性スピンホール磁気抵抗効果を実証した。スピンホール効果が強いトポロジカル絶縁体と強磁性半導体を組み合わせたことで、従来の3桁高い1.1％の巨大な抵抗変化を達成した。

　一方向性スピンホール磁気抵抗効果は非磁性体・磁性体の接合において、非磁性体のスピンホール効果によっ...　　(つづく)