2023.05.10 SBD内蔵のSiC－MOSFETモジュール　三菱がサンプル提供

3.3kV SBD内蔵SiC－MOSFETモジュール

　三菱電機は、鉄道車両・直流送電などの大型産業機器向け大容量SiCパワー半導体モジュールの新製品として、耐電圧3.3kV・絶縁耐電圧6.0kVrmsの高電流密度dualタイプにSBD（ショットキーバリアダイオード）内蔵MOSFETを採用した「SBD内蔵SiC－MOSFETモジュール」のサンプル提供を、31日から開始する。

　脱炭素社会の実現に貢献するキーデバイスとして、電力を効率よく変換するパワー半導体の需要が拡大・多様化してい...　　(つづく)