キヤノンは13日、ナノインプリント半導体製造装置「FPA-1200NZ2C」を発売した。

　ナノインプリントリソグラフィ(NIL)技術を活用し、ウエハー上に塗布されたレジストにハンコを押すようにしてマスクを押し付けて回路パターンを形成する。

　光を照射し回路を焼き付ける従来型の投影露光装置が微細化の限界を迎えつつある中、NILは、光学系を介さずマスク上の微細な回路パターンを忠実にウエハー上に再現可能。3次元の立体的な回路パターンも1回のパターニング工程で形成できるのが特長だ。

　既存の最先端ロジック半導体製造レベルの5ナノノード(最小線幅14ナノメートル)のパターン形成に適用できる。同社によれば、ハンコの役割を担うマスク自体の微細化が進めば、2ナノノード(同10ナノメートル)レベルへの対応も可能という。

　EUV(極端紫外線)やKrF(フッ化クリプトン)など短波長の光源を用いた最先端ロジック向け露光機は高出力が必要。NILでは露光の際に波長の長い紫外線を使用し、パターン形成時の消費電力は10分の1に抑えることができる。

　同社はKrFからi線まで多様な半導体露光装置をそろえる。NILの新製品投入で、先端品へのさらなる対応拡充を図った。

　(16日の電波新聞／電波デジタルで掲載します)