2024.02.01 【ハイテク新技術】NIMSが世界初のn型導電性チャンネルダイヤモンド電界効果Tr開発　ダイヤモンドCMOS集積回路への道開く

概要

　NIMS（物質・材料研究機構）は、世界で初めてダイヤモンドのn型チャンネル動作による金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）を開発した。この成果は、一般電子機器用ICに代表されるモノリシック集積化に向けて、耐環境型の相補型金属酸化膜半導体（CMOS）集積回路の実現と、将来的に強く期待されるダイヤモンドのパワーエレクトロニクス応用に対して、重要な一歩となる。

　ダイヤ...　　(つづく)