2020.06.05 NIMSと産総研が単結晶ホイスラー合金巨大磁気抵抗素子開発　シリコン基板上に作製

　物質・材料研究機構（NIMS）は産業技術総合研究所（産総研）と共同で、産業上実用性の高いシリコン基板上に、優れた磁気抵抗特性を示す単結晶ホイスラー合金巨大磁気抵抗素子の作製に成功した。さらにウエハー接合技術を用いることにより、多結晶電極上への単結晶磁気抵抗素子膜の接合が可能であることを世界で初めて示した。従来は非実用的だった高性能単結晶素子の実用展開への新たな道筋を示すものであり、ハードディスクドライブ（HDD）の大容量化などに寄与する。
　　(つづく)