2025.07.07 ルネサス、耐圧650VのGaNパワー半導体の新製品　新プロセスで電力効率向上　1k～10kW級の電源システムに最適

新たなプロセス「第4世代プラス」を採用した耐圧650VのGaNパワー半導体

　ルネサスエレクトロニクスは、耐圧650Vの窒化ガリウム（GaN）パワー半導体の新製品を発売、量産を開始した。新たなプロセス「第4世代プラス（Gen Ⅳ Plus）」を採用し、従来の第4世代と比較してダイサイズを14％、オン抵抗を30mΩまで低減し、電力効率を向上。これにより、性能指数（FOM）を20％低減させた。

　新製品は、AI（人工知能）サーバー、EV（電気自動車）充電システム、無停電電源装置、蓄電システム、太陽光発電イン...　　(つづく)