2025.07.17 東京理科大などの共同研究グループ、IGZOの本質的電子状態を解明　酸素欠陥がIn電子の周囲に偏在

InGaZnO₄（IGZO）の結晶構造

　東京理科大学先進工学部物理工学科の芝田悟朗助教（現日本原子力研究開発機構）、齋藤智彦教授、宮川宣明教授、高輝度光科学研究センター分光・イメージング推進室光電子分光計測チームの保井晃主幹研究員らの共同研究グループは、硬X線光電子分光法（HAXPES）〈※1〉により、InGaZnO₄（IGZO）単結晶の電子状態を解析し、結晶中の酸素欠陥がIn原子の周囲に偏って存在していることを明らかにした。

　また、バンドギャップ内に形成されるサ...　　(つづく)