米グローバル・ファウンドリーズ(GF)とGaN(窒化ガリウム)パワーICメーカーのナビタス（Navitas）セミコンダクターズ は、GaN技術の開発・設計・製造を強化する長期的な戦略的提携を結んだ。両社が協業することで、工場など産業分野での高効率な電力供給を支援する。ＧaNを次世代半導体の中核技術として位置付けていく。

　GFは半導体の受託生産企業で、ナビタスが自社工場を持たず、カリフォルニア州トーランスを拠点とする設計に特化するファブレス企業。GaNパワーICとSiC(シリコンカーバイド)ICの設計・開発・販売に従事している。

　両社は今回の提携を機に、ＧaNの米国内生産能力を拡大し、AI（人工知能）データセンターや高性能コンピューティング（HPC）、電力網、産業用の高電圧アプリケーション向けの半導体ソリューションを提供する。GFは、高電圧GaN・オン・シリコン技術に強みを持つファウンドリーで、量産技術がある。ナビタスは、GaN技術や高電圧SiC技術に強い。

　両社は、2026年初頭に開発をスタート。同年後半には、GFがバーモント州バーリントン工場で量産を開始する予定だ。