2020.12.25 NIMSと東京工大　「Ca₃ SiO」直接遷移型　近赤外線向け半導体に応用

　物質材料研究機構（NIMS）は東京工業大学と共同で、安価で毒性のないカルシウム、シリコン、酸素から構成される「Ca₃ SiO」が、赤外線用のLEDや検出器として応用が可能な直接遷移型の半導体であることを発見した。現在、赤外線領域で利用されている半導体の多くがカドミウムやテルルなどの毒性元素を含むのに対し、今回発見したCa₃ SiOは、安価な非毒性の元素のみからなるという付加価値を備えた、新たな近赤外線向け半導体としての応用が期待される。

...　　(つづく)