2019.10.23 韓国・SKハイニックスが1Zナノメートル技術採用の16ギガビットDDR4 DRAM開発

1Zナノメートル技術採用16ギガビットDDR4 DRAM

　【ソウル支局】韓国のSKハイニックスは21日、第3世代10ナノメートル（1Zナノメートル）技術を採用した16ギガビットDDR4 DRAMを開発したと発表した。

　新チップはシングルチップとしては業界最大密度で、データ転送もDDR4インターフェイスでは最速となる最大3200メガbpsをサポート。より微細なプロセス技術を使用することで、前世代1Yナノメートル製品に比べ生産性は約27％向上。消費電力も1Yナノメートル8ギガビットDR...　　(つづく)