2021.04.16 北海道大など光スピントロニクスナノ構造開発室温、110度でも世界最高のスピン偏極率達成

（a）開発したInAs量子ドット（QD）と希薄窒化GaAs（GaNAs）のトンネル結合構造とスピンフィルタリング増幅を示す模式図。（b）室温円偏光発光スペクトルと110度を含めた円偏光度

　北海道大学大学院情報科学研究院の樋浦諭志准教授、博士後期課程の佐藤紫乃氏（日本学術振興会特別研究員）、高山純一技術専門職員、村山明宏教授らの研究グループは、スウェーデン・リンショーピン大学およびフィンランド・タンペレ大学との国際共同研究で、室温で90％、110度でも80％もの高い電子スピン偏極を実用半導体で生成する光スピントロニクスナノ構造を開発した。

　光スピントロニクスは、電子スピンによる超低消費電力の情報処理／記憶と、熱...　　(つづく)