2019.11.22 大陽日酸がGaN結晶製造装置　高速・高品質で連続成長液状金属Gaを三塩化Gaにガス化

結晶成長炉の外見と断面構造

　大陽日酸は、三塩化Ga（ガリウム）-アンモニア反応系により、高速、高品質、連続成長を実現するGaN（窒化ガリウム）結晶製造装置を開発した。

　化学技術振興機構（JST）産学共同実用化開発事業（NexTEP）の開発課題「THVPE法による高品質バルクGaN成長用装置」を受託していたもの。JSTは、この開発結果を成功と認定した。

　GaN結晶は青色発光ダイオードとして広く利用されている半導体。高速スイッチ動作...　　(つづく)