韓国サムスン電子は6月30日、世界で初めて回路線幅3ナノメートル（ナノは10億分の1）プロセス技術による半導体の量産を開始したと発表した。

　次世代のゲート・オール・アラウンド（GAA）トランジスタ構造を適用しており、従来のFinFET型の5ナノメートルプロセスに比べ消費電力を最大45%低減。性能を23%向上させ、実装面積を16%縮小できるとしている。

　当初は高性能・低消費電力コンピューティング向けに供給。その後、スマートフォン向けに拡大していく。

　半導体の高性能化に欠かせない微細化では半導体受託生産世界最大手の台湾TSMCとサムスンの競争が激化している。TSMCは2022年下半期に3ナノメートルの量産を開始。25年に次の世代の2ナノメートルの生産に着手する予定だ。

（７月１日付電波新聞／電波デジタルで詳報します）