2023.06.05 三菱がパワーモジュールで新チップ構造開発 SBD内蔵のSiC-MOSFET
開発した新チップ構造（上：チップの断面図、下：チップを上から見た並列接続図）
サージ電流耐量、5倍に向上
三菱電機は鉄道車両・直流送電など大型産業機器向けで、SBD内蔵のSiC-MOSFET新技術を発表した。鉄道車両用推進制御装置などの小型化や省エネルギー化、直流送電の普及促進などを通じてカーボンニュートラルに貢献する。
SBD内蔵SiC-MOSFETの適用は3.3kVフルSiCパワーモジュール「FM... (つづく)
