JX金属は30日、東大発スタートアップGaianixxとの連携を発表した。第三者割当増資に応じて3億円を出資。機能性薄膜に使われるスパッタリングターゲットや高純度金属などの材料、積層結晶材料の共同開発を予定する。

　半導体素子の高性能化・高付加価値化に向けては、単結晶基板と機能性薄膜の間に発生するひずみの解消が課題となっている。Gaianixx社はこの課題に対し、独自技術で対応している。JX金属は連携を通じ、半導体素子の性能・信頼性・歩留まり向上などをめざす。